TY  - JOUR

T1  - Growth and characterization of (111)B InGaAs/GaAs multi-quantum well PIN diode structures

JO  - Journal of Electronic Materials

PY  - 1994/09/01

AU  - David JPR

AU  - Grey R

AU  - Rees GJ

AU  - Pabla AS

AU  - Sale TE

AU  - Woodhead J

AU  - Sanchez-Rojas JL

AU  - Pate MA

AU  - Hill G

AU  - Robson PN

AU  - Hogg RA et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1007/bf02655373

PB  - Springer Science and Business Media LLC

VL  - 23

IS  - 9

SP  - 975

EP  - 982

Y2  - 2024/12/22

ER  -