TY  - JOUR

T1  - Comparison of different surface passivation dielectrics in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

JO  - J PHYS D APPL PHYS

PY  - 2002/04/07

AU  - Tan WS

AU  - Houston PA

AU  - Parbrook PJ

AU  - Hill G

AU  - Airey RJ

ED  - 

VL  - 35

IS  - 7

SP  - 595

EP  - 598

Y2  - 2024/12/22

ER  -