TY  - JOUR

T1  - Temperature dependent behaviour of 340 nm light emitting diodes incorporating a gallium nitride interlayer

JO  - J PHYS D APPL PHYS

PY  - 2008/05/07

AU  - Airey RJ

AU  - Lee KB

AU  - Parbrook PJ

AU  - Bai J

AU  - Ranalli F

AU  - Wang T

AU  - Hill G

ED  - 

DO  - DOI: 10.1088/0022-3727/41/9/094004

VL  - 41

IS  - 9

Y2  - 2024/12/22

ER  -