TY  - JOUR

T1  - The 310-340nm ultraviolet light emitting diodes grown using a thin GaN interlayer on a high temperature AlN buffer

JO  - J PHYS D APPL PHYS

PY  - 2008/05/07

AU  - Wang T

AU  - Lee KB

AU  - Bai J

AU  - Parbrook PJ

AU  - Ranalli F

AU  - Wang Q

AU  - Airey RJ

AU  - Cullis AG

AU  - Zhang HX

AU  - Massoubre D

AU  - Gong Z et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1088/0022-3727/41/9/094003

VL  - 41

IS  - 9

Y2  - 2024/12/22

ER  -