TY  - CONF

T1  - Avalanche multiplication and breakdown in 4H-SiC diodes

JO  - SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2

PY  - 2004/01/01

AU  - Ng BK

AU  - David JPR

AU  - Massey DJ

AU  - Tozer RC

AU  - Rees GJ

AU  - Yan F

AU  - Zhao JH

AU  - Weiner M

ED  - Madar R

ED  - Camassel J

VL  - 457-460

SP  - 1069

EP  - 1072

Y2  - 2024/12/22

ER  -