TY  - JOUR

T1  - Effect of strain relaxation and exciton localization on performance of 350-nm AlInGaN quaternary light-emitting diodes

JO  - J APPL PHYS

PY  - 2005/04/15

AU  - Wang T

AU  - Raviprakash G

AU  - Ranalli F

AU  - Harrison CN

AU  - Bai J

AU  - David JPR

AU  - Parbrook PJ

AU  - Ao JP

AU  - Ohno Y

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.1877816

VL  - 97

IS  - 8

Y2  - 2024/12/22

ER  -