TY  - JOUR

T1  - Molecular beam epitaxy growth of GaAsBi using As<inf>2</inf> and As <inf>4</inf>

JO  - Journal of Crystal Growth

PY  - 2014/03/15

AU  - Richards RD

AU  - Bastiman F

AU  - Hunter CJ

AU  - Mendes DF

AU  - Mohmad AR

AU  - Roberts JS

AU  - David JPR

ED  - 

DO  - DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.12.008

VL  - 390

SP  - 120

EP  - 124

Y2  - 2024/12/22

ER  -