TY  - JOUR

T1  - Effect of strain relaxation on forward bias dark currents in GaAs/InGaAs multiquantum well p-i-n diodes

JO  - Journal of Applied Physics

PY  - 1996/01/01

AU  - Griffin PR

AU  - Barnes J

AU  - Barnham KWJ

AU  - Haarpaintner G

AU  - Mazzer M

AU  - Zanotti-Fregonara C

AU  - Grünbaum E

AU  - Olson C

AU  - Rohr C

AU  - David JPR

AU  - Roberts JS et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.363574

VL  - 80

IS  - 10

SP  - 5815

EP  - 5820

Y2  - 2024/10/18

ER  -