TY  - CONF

T1  - Inductively coupled plasma etching of GaN using SiCl<sub>4</sub>/Cl<sub>2</sub>/Ar for submicron‐sized features fabrication

JO  - physica status solidi c

UR  - https://doi.org/10.1002/pssc.200674851

PY  - 2007/06/01

AU  - Dylewicz R

AU  - Hogg RA

AU  - Fry PW

AU  - Parbrook PJ

AU  - Airey R

AU  - Tahraoui A

AU  - Patela S

ED  - 

DO  - DOI: 10.1002/pssc.200674851

PB  - Wiley

VL  - 4

IS  - 7

SP  - 2634

EP  - 2637

Y2  - 2025/04/06

ER  -