TY  - JOUR

T1  - Enhanced breakdown voltages in strained InGaAs/GaAs structures

JO  - Applied Physics Letters

PY  - 1992/01/01

AU  - David JPR

AU  - Morley MJ

AU  - Wolstenholme AR

AU  - Grey R

AU  - Pate MA

AU  - Hill G

AU  - Rees GJ

AU  - Robson PN

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.108354

VL  - 61

IS  - 17

SP  - 2042

EP  - 2044

Y2  - 2024/10/18

ER  -