TY  - CONF

T1  - TEM analysis of Si-passivated Ge-on-Si MOSFET structures for high performance PMOS device technology

JO  - Journal of Physics: Conference Series

PY  - 2010/01/01

AU  - Norris DJ

AU  - Ross IM

AU  - Cullis AG

AU  - Walther T

AU  - Myronov M

AU  - Dobbie A

AU  - Whall T

AU  - Parker EHC

AU  - Leadley DR

AU  - De Jaeger B

AU  - Lee W et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1088/1742-6596/241/1/012044

VL  - 241

Y2  - 2024/12/22

ER  -