TY  - JOUR

T1  - Influence of GaN barrier growth temperature on the photoluminescence of InGaN/GaN heterostructures

JO  - Journal of Physics D: Applied Physics

PY  - 2002/04/07

AU  - Olaizola SM

AU  - Pendlebury ST

AU  - O'Neill JP

AU  - Mowbray DJ

AU  - Cullis AG

AU  - Skolnick MS

AU  - Parbrook PJ

AU  - Fox AM

ED  - 

DO  - DOI: 10.1088/0022-3727/35/7/305

PB  - IOP Publishing

VL  - 35

IS  - 7

SP  - 599

EP  - 603

Y2  - 2024/12/22

ER  -